М

2

ТКИ

2 

- 50

- 12

М2ТКИ2-50-12

М

6

ТКИ

- 50

- 12

- 2

Н

М6ТКИ-50-12-2Н

М

ТКИ

- 1200

- 33

Т

МТКИ-1200-33Т

М

ТКИ

Д

2

- 50

- 12

Н

Д

МТКИД2-50-12НД

М

2

ТКИ

- 200

- 17

В

М2ТКИ-200-17В

М

модуль

знака нет

одноключевой

2

двухключевой (полумост)

3

трехключевой

4

четырехключевой (однофазный мост)

6

шестиключевой (трехфазный мост)

Д

чоппер с диодом со стороны коллектора

П

прижимной конструкции (PressPack IGBT)

ТКИ

транзистор кремниевый биполярный с изолированным затвором

Д

чоппер с диодом со стороны эмиттера

2,3

модификация модуля

50

постоянный ток коллектора, в амперах

12

напряжение коллектор-эмиттер, в вольтах/100

2,3,...

конструктивное исполнение

знака нет

модуль на основе IGBT со стандартным сочетанием параметров (NPT-технология), оптимизирован для работы на средних частотах коммутации

К

модуль на основе IGBT с вертикальным каналом (Trench Gate технология)

Н

модуль на основе IGBT с пониженными потерями мощности в статическом состоянии (FSNPT-технология), оптимизирован для работы на низких частотах коммутации

С

модуль на основе IGBT с пониженными статическими и динамическими потерями (SPT-технология)

Ч

модуль на основе IGBT с малыми динамическими потерями (NPT-технология), оптимизирован для работы на высоких частотах коммутации

В

модуль с повышенным напряжением изоляции между основанием и внешними выводами

Р

модуль с силовыми выводами под штеккерные разъемы

Т

модуль с повышенной устойчивостью к термоциклам, оптимизирован для работы в тяговом приводе

Д

модуль с усиленным диодом чоппера