как
выбрать IGBT модуль ?
Выбирая IGBT модуль для
проектируемого устройства, потребитель должен следовать приведенным ниже
рекомендациям:
1. Выбор модуля по
напряжению коллектор-эмиттер:
- для обеспечения
высокого уровня надежности напряжение питания модуля должно быть не более 60 %
от максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер (диапазоны
рекомендуемых напряжений питания приведены в таблицах ниже);
- напряжение
питания ниже, чем минимальное значение указанного в таблице диапазона,
нежелательно, так как при этом увеличивают динамические потери;
- значение пикового
напряжения VCEmax должно быть не
более 80 % от максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.
2. Выбор модуля по
оптимальной частоте коммутации:
- для минимизации суммарных
коммутационных потерь выбирается модуль соответствующей серии в соответствии с
диапазонами оптимальных частот коммутации, приведенными в таблицах ниже;
- модули могут
работать и при более высоких частотах коммутации, однако при этом должен быть снижен
ток коллектора (по вопросам возможности использования модулей при частотах,
более высоких, чем указанных в таблицах, необходимо обратиться к разработчику).
3. Выбор типа
модуля по току коллектора:
- для обеспечения
высокого уровня надежности амплитудное значение тока коллектора должно быть не
более 70 ÷ 80 % от максимально допустимого значения постоянного тока
коллектор-эмиттер.
После выбора типа
модуля необходимо произвести расчет теплового режима работы IGBT модуля в самом тяжелом
режиме, исходя из условия, что максимальная температура кристалла Tj (в ºC) в наихудшем
случае не должна превышать 80 % от максимально допустимой. Все расчеты
статических и динамических потерь и теплового режима производятся с
использованием подробных информационных материалов на выбранный модуль.
Запрос о
предоставлении подробных информационных материалов, материалов по применению
IGBT модулей и расчету режимов работы, а также все вопросы по IGBT модулям производства ОАО
"ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ" Вы можете направить по адресу martin@moris.ru.
|
IGBT модули на напряжение 600 В |
СЕРИЯ
МОДУЛЕЙ |
|
|
Модули с низкими статическими потерями |
||
|
Пример
условного обозначения |
М2ТКИ-100-06 |
|
|
Технология IGBT |
|
|
|
IGBT VCEsat, В |
25
ºC |
1.95 |
|
125
ºC |
2.2 |
|
|
Технология диодов |
|
|
|
Диод VF, В |
25
ºC |
1.25 |
|
125
ºC |
1.2 |
|
|
Оптимальная частота коммутации, кГц |
|
|
|
Оптимальное напряжение источника питания, В |
|
|
|
IGBT модули на напряжение 1200 В |
СЕРИЯ
МОДУЛЕЙ |
||||
|
Стандартные модули |
Модули с низкими статическими потерями |
Модули с низким остаточным током коллектора |
Модули на основе IGBT с вертикальным каналом |
||
|
Пример
условного обозначения |
М2ТКИ-100-12 |
М2ТКИ-100-12Н |
М2ТКИ-100-12Ч |
М2ТКИ-100-12К |
|
|
Технология IGBT |
NPT – Standard (оптимизированные статические и коммутационные потери на средних частотах) |
|
NPT – Short Tail (низкие динамические потери) |
Trench – Field Stop |
|
|
IGBT VCEsat, В |
25
ºC |
2.5 |
2.1 |
3.0 |
1.7 |
|
125
ºC |
3.1 |
2.4 |
3.6 |
2.0 |
|
|
Технология диодов |
EmCon Fast / CAL |
|
EmCon / EmCon Fast / CAL |
EmCon HE / EmCon Fast |
|
|
Диод VF, В |
25
ºC |
2.3 |
1.8 |
2.0 |
1.7 |
|
125
ºC |
1.8 |
1.7 |
1.7 |
1.6 |
|
|
Оптимальная частота коммутации, кГц |
4 ÷ 15 |
|
> 15 |
4 ÷ 12 |
|
|
Оптимальное напряжение источника питания, В |
|
||||
|
IGBT модули на напряжение 1700 В |
СЕРИЯ
МОДУЛЕЙ |
||
|
Модули с низкими статическими потерями |
Модули на основе IGBT с вертикальным каналом |
||
|
Пример
условного обозначения |
М2ТКИ-100-17 |
М2ТКИ-100-17К |
|
|
Технология IGBT |
|
Trench – Field Stop |
|
|
IGBT VCEsat, В |
25
ºC |
2.6 |
2.0 |
|
125
ºC |
3.1 |
2.4 |
|
|
Технология диодов |
|
EmCon HE / EmCon Fast |
|
|
Диод VF, В |
25
ºC |
2.1 |
1.8 |
|
125
ºC |
2.1 |
1.9 |
|
|
Оптимальная частота коммутации, кГц |
|
2 ÷ 5 |
|
|
Оптимальное напряжение источника питания, В |
|
||
|
IGBT модули на напряжение 2500 В |
СЕРИЯ
МОДУЛЕЙ |
|
|
Модули с низкими статическими потерями |
||
|
Пример
условного обозначения |
МТКИ-1500-25 |
|
|
Технология IGBT |
|
|
|
IGBT VCEsat, В |
25
ºC |
3.6 |
|
125
ºC |
4.4 |
|
|
Технология диодов |
|
|
|
Диод VF, В |
25
ºC |
2.8 |
|
125
ºC |
2.7 |
|
|
Оптимальная частота коммутации, кГц |
|
|
|
Оптимальное напряжение источника питания, В |
|
|
|
IGBT модули на напряжение 3300 В |
СЕРИЯ
МОДУЛЕЙ |
||
|
Стандартные модули |
Модули с низкими статическими потерями |
||
|
Пример
условного обозначения |
МТКИ-1200-33 |
МТКИ-1200-33Н |
|
|
Технология IGBT |
|
|
|
|
IGBT VCEsat, В |
25
ºC |
3.4 |
3.1 |
|
125
ºC |
4.3 |
3.7 |
|
|
Технология диодов |
|
EmCon - Field Stop |
|
|
Диод VF, В |
25
ºC |
2.8 |
2.5 |
|
125
ºC |
2.8 |
2.45 |
|
|
Оптимальная частота коммутации, кГц |
|
||
|
Оптимальное напряжение источника питания, В |
|
||
С
информацией об IGBT модулях ОАО
"ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ", а также о продукции ОАО
"ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ" Вы можете ознакомиться на сайтах www.moris.ru/~martin и www.elvpr.ru
По всем вопросам просим Вас обращаться по факсу (8342) 48-07-33
на имя директора
НИЦ СПП Мартыненко В.А.
или E-mail:
Маркетинг - nicpp@saransk-com.ru, martin@moris.ru
Служба технической поддержки - support-nicpp@saransk-com.ru